Ионный источник АИДА-4МА предназначен как для активации поверхности подложки перед нанесением различных покрытий, так и для ассестирования во время нанесения пленки . Ассестирование с ионным источником АИДА-4МА и температурой подложки до 150 гр.С позволяет получить временную стабильность диэлектрических пленок и нечувствительность их оптических характеристик от разности температур и влажности не досягаемой для классической технологии нанесения диэлектрических пленок с электронно-лучевой пушки с температурами подложки 300гр.С. Конденсированные атомы вещества уплотняются атомно-ионным пучком , что значительно увеличивает плотность нанесенной пленки ,улучшает ее оптические характеристики ;показатели преломления , уменьшает рассеяние .Так популярный материал TIO2 получается с показателем преломления 2.33(500) при температуре подложки 45гр.С.при хорошей адгезии .Пленки ZNS при ионном ассестировании получаются очень плотными и стабильными и практическим беспористыми опять же на холодную подложку .Источником можно управлять как вручную так и с помощью внешней системы управления через последовательный порт RS-232 либо интерфейсCAN-2B,USB1.1 (по заказу). Скорость связи через com-порт вплоть до 112 кб. Оптическая развязка на порт не предусмотрена .
Двухуровневая защита от перегрузок , система блокировок.
В комплект ионного источника входит;
|
Температура окружающей среды гр.С° | 7-30 |
Питающая однофазная сеть В/А/Гц | 220±10/10/50 |
Температура охлаждающей воды не более гр.С° | 20 |
Цена ионного источника АИДА-4МА договорная
Здесь можно посмотреть работу ионного источника АИДА в камере